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DLM10E

DLM10E

僅供參考

型號 DLM10E
PNEDA編號 DLM10E
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DLM10E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DLM10E
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
DLM10E, DLM10E數據表 (總頁數: 3, 大小: 46.02 KB)
PDFDLM10E-AT1數據表 封面
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DLM10E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果980mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點150°C (Max)

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30V

電流-平均整流(Io)

350mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 20V

電容@ Vr,F

50pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.51V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

30mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 30V

電容@ Vr,F

2.2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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