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DMC2020USD-13

DMC2020USD-13

僅供參考

型號 DMC2020USD-13
PNEDA編號 DMC2020USD-13
描述 MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 74,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMC2020USD-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMC2020USD-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMC2020USD-13, DMC2020USD-13數據表 (總頁數: 11, 大小: 302.83 KB)
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DMC2020USD-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.8A, 6.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1149pF @ 10V
功率-最大1.8W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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系列

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

功率-最大

34W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V, 41nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

功率-最大

20.2W, 40W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1286pF @ 10V

功率-最大

600mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

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