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DMC25D0UVT-13

DMC25D0UVT-13

僅供參考

型號 DMC25D0UVT-13
PNEDA編號 DMC25D0UVT-13
描述 MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMC25D0UVT-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMC25D0UVT-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMC25D0UVT-13, DMC25D0UVT-13數據表 (總頁數: 11, 大小: 461.01 KB)
PDFDMC25D0UVT-13數據表 封面
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DMC25D0UVT-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)25V, 30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)400mA, 3.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.7nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds26.2pF @ 10V
功率-最大1.2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSOT-26

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A, 32A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1160pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A, 18A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1765pF @ 13V

功率-最大

1W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5.9V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.35V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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