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DMC3021LSDQ-13

DMC3021LSDQ-13

僅供參考

型號 DMC3021LSDQ-13
PNEDA編號 DMC3021LSDQ-13
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMC3021LSDQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMC3021LSDQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMC3021LSDQ-13, DMC3021LSDQ-13數據表 (總頁數: 8, 大小: 255.78 KB)
PDFDMC3021LSDQ-13數據表 封面
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DMC3021LSDQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.5A, 7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.1nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds767pF @ 10V
功率-最大2.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 6V

功率-最大

7.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerPAK® SC-70-6 Dual

供應商設備包裝

PowerPAK® SC-70-6 Dual

APTM10DHM09TG

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制造商

Microsemi Corporation

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

功率-最大

1.04W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

SIZF300DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET® Gen IV

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V, 62nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

功率-最大

3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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