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DMC3025LSDQ-13

DMC3025LSDQ-13

僅供參考

型號 DMC3025LSDQ-13
PNEDA編號 DMC3025LSDQ-13
描述 MOSFETN/P-CH30VSO-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMC3025LSDQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMC3025LSDQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMC3025LSDQ-13, DMC3025LSDQ-13數據表 (總頁數: 11, 大小: 518.83 KB)
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DMC3025LSDQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.6nC, 5.1nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds501pF, 590pF @ 15V, 25V
功率-最大1.2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 13V

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1513pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

103mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

功率-最大

1.8W (Ta)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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4350pF @ 25V

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