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DME800

DME800

僅供參考

型號 DME800
PNEDA編號 DME800
描述 RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55ST-1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 26 - 三月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DME800資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DME800
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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DME800規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)65V
頻率-過渡1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益9dB ~ 10dB
功率-最大2500W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 600mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
工作溫度200°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱55ST-1
供應商設備包裝55ST-1

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晶體管類型

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

-

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

700MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

增益

-

功率-最大

625mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-92-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

增益

17dB

功率-最大

120mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

增益

12.5dB ~ 14.5dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-363

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制造商

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

10.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

增益

18dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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