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DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

僅供參考

型號 DMG4710SSS-13
PNEDA編號 DMG4710SSS-13
描述 MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,956
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG4710SSS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG4710SSS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMG4710SSS-13, DMG4710SSS-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 169.66 KB)
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DMG4710SSS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12.5mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs43nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1849pF @ 15V
FET功能Schottky Diode (Body)
功耗(最大值)1.54W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.1Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

748pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

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安裝類型

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

650mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.44Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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