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DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7

僅供參考

型號 DMG6402LDM-7
PNEDA編號 DMG6402LDM-7
描述 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 26,928
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG6402LDM-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG6402LDM-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMG6402LDM-7, DMG6402LDM-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 204.78 KB)
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DMG6402LDM-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs27mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds404pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.12W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-26
包裝/箱SOT-23-6

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 135µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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6.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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