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DMG6602SVTX-7

DMG6602SVTX-7

僅供參考

型號 DMG6602SVTX-7
PNEDA編號 DMG6602SVTX-7
描述 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG6602SVTX-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG6602SVTX-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMG6602SVTX-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N and P-Channel Complementary
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V, 9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 15V, 420pF @ 15V
功率-最大840mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝TSOT-26

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.4A, 8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 16V

功率-最大

350mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 30V

功率-最大

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