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DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

僅供參考

型號 DMJ70H1D4SV3
PNEDA編號 DMJ70H1D4SV3
描述 MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMJ70H1D4SV3資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMJ70H1D4SV3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMJ70H1D4SV3, DMJ70H1D4SV3數據表 (總頁數: 6, 大小: 516 KB)
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DMJ70H1D4SV3規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds342pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)78W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-251
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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技術

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1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

78A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

744nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20700pF @ 25V

FET功能

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

109mOhm @ 500mA, 8A

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

195pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 340µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 260µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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