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DMN13H750S-7

DMN13H750S-7

僅供參考

型號 DMN13H750S-7
PNEDA編號 DMN13H750S-7
描述 MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 57,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN13H750S-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN13H750S-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN13H750S-7, DMN13H750S-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 604.81 KB)
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DMN13H750S-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)130V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs750mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.6nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds231pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)770mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 320µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.56W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 890mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

310mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

145W (Tc)

工作溫度

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