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DMN2005K-7

DMN2005K-7

僅供參考

型號 DMN2005K-7
PNEDA編號 DMN2005K-7
描述 MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 266,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2005K-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2005K-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMN2005K-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)300mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 2.7V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)350mW (Ta)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 55µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

82A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

142nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

230mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 160mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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功耗(最大值)

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