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DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

僅供參考

型號 DMN2005UFG-13
PNEDA編號 DMN2005UFG-13
描述 MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2005UFG-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2005UFG-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMN2005UFG-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18.1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs164nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6495pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.05W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI3333-8
包裝/箱8-PowerVDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9130pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 15V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.1W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

305nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9835pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

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