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DMN2005UFGQ-7

DMN2005UFGQ-7

僅供參考

型號 DMN2005UFGQ-7
PNEDA編號 DMN2005UFGQ-7
描述 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2005UFGQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2005UFGQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN2005UFGQ-7, DMN2005UFGQ-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 557 KB)
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DMN2005UFGQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

FET功能

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 68A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5050pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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