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DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

僅供參考

型號 DMN2015UFDF-13
PNEDA編號 DMN2015UFDF-13
描述 MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2015UFDF-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2015UFDF-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMN2015UFDF-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs42.3nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1439pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝U-DFN2020-6
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2330pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

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