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DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

僅供參考

型號 DMN2020LSN-7
PNEDA編號 DMN2020LSN-7
描述 MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 281,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2020LSN-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2020LSN-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN2020LSN-7, DMN2020LSN-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 129.01 KB)
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DMN2020LSN-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1149pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)610mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-59-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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