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DMN2028USS-13

DMN2028USS-13

僅供參考

型號 DMN2028USS-13
PNEDA編號 DMN2028USS-13
描述 MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2028USS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2028USS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN2028USS-13, DMN2028USS-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 231.31 KB)
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DMN2028USS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1000pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.56W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

172pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 140µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

176nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

188W (Tc)

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