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DMN2028UVT-7

DMN2028UVT-7

僅供參考

型號 DMN2028UVT-7
PNEDA編號 DMN2028UVT-7
描述 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2028UVT-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2028UVT-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN2028UVT-7, DMN2028UVT-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 476.69 KB)
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DMN2028UVT-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.3nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds856pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSOT-26
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

197mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1690pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

227W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93.6nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

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