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DMN2050L-7

DMN2050L-7

僅供參考

型號 DMN2050L-7
PNEDA編號 DMN2050L-7
描述 MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 764,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 23 - 十二月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2050L-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2050L-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN2050L-7, DMN2050L-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 221.04 KB)
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DMN2050L-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds532pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.4W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 65µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 68W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 340µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83.3W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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