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DMN2058UW-13

DMN2058UW-13

僅供參考

型號 DMN2058UW-13
PNEDA編號 DMN2058UW-13
描述 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2058UW-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2058UW-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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DMN2058UW-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.7nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds281pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-323
包裝/箱SC-70, SOT-323

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2880pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

19W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

152nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

714W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

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