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DMN2230UQ-7

DMN2230UQ-7

僅供參考

型號 DMN2230UQ-7
PNEDA編號 DMN2230UQ-7
描述 MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 25,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2230UQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2230UQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN2230UQ-7, DMN2230UQ-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 369.41 KB)
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DMN2230UQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds188pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)600mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15.3A (Ta), 47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

993pF @ 15V

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-

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14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2335pF @ 16V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

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