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DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

僅供參考

型號 DMN2400UFDQ-13
PNEDA編號 DMN2400UFDQ-13
描述 MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2400UFDQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2400UFDQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMN2400UFDQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)900mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds37pF @ 16V
FET功能-
功耗(最大值)400mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝U-DFN1212-3 (Type C)
包裝/箱3-PowerUDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

48.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3096pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

109nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1775pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

175W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

1.36W (Ta), 62.5W (Tj)

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