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DMN24H3D6S-13

DMN24H3D6S-13

僅供參考

型號 DMN24H3D6S-13
PNEDA編號 DMN24H3D6S-13
描述 MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN24H3D6S-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN24H3D6S-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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DMN24H3D6S-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2535pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

74mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta), 19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1165pF @ 75V

FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

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功耗(最大值)

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