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DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

僅供參考

型號 DMN2600UFB-7
PNEDA編號 DMN2600UFB-7
描述 MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2600UFB-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2600UFB-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN2600UFB-7, DMN2600UFB-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 408.01 KB)
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DMN2600UFB-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs350mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.85nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds70.13pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)540mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝3-DFN1006 (1.0x0.6)
包裝/箱3-UFDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

338nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

330W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

69pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

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