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DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

僅供參考

型號 DMN3010LSS-13
PNEDA編號 DMN3010LSS-13
描述 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3010LSS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3010LSS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN3010LSS-13, DMN3010LSS-13數據表 (總頁數: 5, 大小: 146.65 KB)
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DMN3010LSS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs43.7nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2096pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2180pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

166W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

108mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

315pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

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2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±35V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

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