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DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

僅供參考

型號 DMN3016LDN-7
PNEDA編號 DMN3016LDN-7
描述 MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3016LDN-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3016LDN-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3016LDN-7, DMN3016LDN-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 409.52 KB)
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DMN3016LDN-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25.1nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1415pF @ 15V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝V-DFN3030-8 (Type J)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

701pF @ 25V

功率-最大

32W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

-

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

340nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10800pF @ 25V

功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

940pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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