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DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

僅供參考

型號 DMN3032LFDB-7
PNEDA編號 DMN3032LFDB-7
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3032LFDB-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3032LFDB-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3032LFDB-7, DMN3032LFDB-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 573.83 KB)
PDFDMN3032LFDB-13數據表 封面
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DMN3032LFDB-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.6nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds500pF @ 15V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type B)

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

10mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

112A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

152nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

399pF @ 15V

功率-最大

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 10V

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