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DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7

僅供參考

型號 DMN3033LSN-7
PNEDA編號 DMN3033LSN-7
描述 MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 604,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3033LSN-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3033LSN-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN3033LSN-7, DMN3033LSN-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 154.8 KB)
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DMN3033LSN-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.5nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds755pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.4W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-59-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

195pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28.8mOhm @ 17.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 650µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2540pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

118nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7973pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

238W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

315W (Tc)

工作溫度

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