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DMN3035LWN-13

DMN3035LWN-13

僅供參考

型號 DMN3035LWN-13
PNEDA編號 DMN3035LWN-13
描述 MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3035LWN-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3035LWN-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3035LWN-13, DMN3035LWN-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 336.92 KB)
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DMN3035LWN-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds399pF @ 15V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝V-DFN3020-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 20V

功率-最大

-

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

256pF @ 15V

功率-最大

485mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

125mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

580pF @ 10V

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