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DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

僅供參考

型號 DMN3055LFDB-7
PNEDA編號 DMN3055LFDB-7
描述 MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3055LFDB-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3055LFDB-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMN3055LFDB-7, DMN3055LFDB-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 343.81 KB)
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DMN3055LFDB-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds458pF @ 15V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type B)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V, 200nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

功率-最大

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

780mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

83pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

10mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

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0°C ~ 70°C (TJ)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 600µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

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