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DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

僅供參考

型號 DMN31D6UT-13
PNEDA編號 DMN31D6UT-13
描述 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN31D6UT-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN31D6UT-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN31D6UT-13, DMN31D6UT-13數據表 (總頁數: 8, 大小: 510.6 KB)
PDFDMN31D6UT-7數據表 封面
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DMN31D6UT-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)350mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.35nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13.6pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)320mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-523
包裝/箱SOT-523

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 210µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

718pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 18.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.21mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

119nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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