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DMN33D8LTQ-7

DMN33D8LTQ-7

僅供參考

型號 DMN33D8LTQ-7
PNEDA編號 DMN33D8LTQ-7
描述 MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT523
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN33D8LTQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN33D8LTQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN33D8LTQ-7, DMN33D8LTQ-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 489.13 KB)
PDFDMN33D8LTQ-7數據表 封面
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DMN33D8LTQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1340pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

570mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

193nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 26A, 12V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

568W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2310pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

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