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DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

僅供參考

型號 DMN3730UFB4-7
PNEDA編號 DMN3730UFB4-7
描述 MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 625,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN3730UFB4-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN3730UFB4-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN3730UFB4-7, DMN3730UFB4-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 419.91 KB)
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DMN3730UFB4-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)750mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds64.3pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)470mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝X2-DFN1006-3
包裝/箱3-XFDFN

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650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1199pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

76W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

101nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6265pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

330W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Ta), 38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

750mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1874pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

135W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2154pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

37.9W (Tc)

工作溫度

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