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DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

僅供參考

型號 DMN4468LSS-13
PNEDA編號 DMN4468LSS-13
描述 MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN4468LSS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN4468LSS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMN4468LSS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.95V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18.85nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds867pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.52W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO263-3-2

包裝/箱

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 930mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

625mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

675pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

420mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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功耗(最大值)

1.9W (Ta), 31W (Tc)

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