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DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

僅供參考

型號 DMN53D0LW-7
PNEDA編號 DMN53D0LW-7
描述 MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 53,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN53D0LW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN53D0LW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN53D0LW-7, DMN53D0LW-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 237.82 KB)
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DMN53D0LW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)360mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 270mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds45.8pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)320mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-323
包裝/箱SC-70, SOT-323

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1470pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4310pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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