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DMN5L06K-7

DMN5L06K-7

僅供參考

型號 DMN5L06K-7
PNEDA編號 DMN5L06K-7
描述 MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,053,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN5L06K-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN5L06K-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN5L06K-7, DMN5L06K-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 260.21 KB)
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DMN5L06K-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)300mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)350mW (Ta)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

176nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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