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DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

僅供參考

型號 DMN61D9UW-7
PNEDA編號 DMN61D9UW-7
描述 MOSFET N-CH 60V 0.34A
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 52,872
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN61D9UW-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN61D9UW-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN61D9UW-7, DMN61D9UW-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 480.13 KB)
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DMN61D9UW-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)340mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.4nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28.5pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)320mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-323
包裝/箱SC-70, SOT-323

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.25mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5065pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

PowerPAK® SO-8

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制造商

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

454pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 20.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

375pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1070pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

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7.8A (Ta), 45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 30A, 11.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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功耗(最大值)

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