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DMN62D1LFB-7B

DMN62D1LFB-7B

僅供參考

型號 DMN62D1LFB-7B
PNEDA編號 DMN62D1LFB-7B
描述 MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN62D1LFB-7B資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN62D1LFB-7B
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMN62D1LFB-7B規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)320mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.9nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds64pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝X1-DFN1006-3
包裝/箱3-UFDFN

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 7.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

48.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

46A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.6mOhm @ 22.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 650µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

208.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.3nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 10V

FET功能

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