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DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

僅供參考

型號 DMN65D8LFB-7
PNEDA編號 DMN65D8LFB-7
描述 MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN65D8LFB-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN65D8LFB-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN65D8LFB-7, DMN65D8LFB-7數據表 (總頁數: 6, 大小: 257.58 KB)
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DMN65D8LFB-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)260mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds25pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)430mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝X1-DFN1006-3
包裝/箱3-UFDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2550pF @ 6V

FET功能

-

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1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

320mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 19.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

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