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DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13

僅供參考

型號 DMNH10H028SPSQ-13
PNEDA編號 DMNH10H028SPSQ-13
描述 MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMNH10H028SPSQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMNH10H028SPSQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMNH10H028SPSQ-13, DMNH10H028SPSQ-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 549.54 KB)
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DMNH10H028SPSQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2245pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI5060-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

62A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1050nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

82A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.4mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.37W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

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