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DMNH6035SPDW-13

DMNH6035SPDW-13

僅供參考

型號 DMNH6035SPDW-13
PNEDA編號 DMNH6035SPDW-13
描述 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,370
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMNH6035SPDW-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMNH6035SPDW-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMNH6035SPDW-13, DMNH6035SPDW-13數據表 (總頁數: 8, 大小: 503.85 KB)
PDFDMNH6035SPDW-13數據表 封面
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DMNH6035SPDW-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 10V

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

50V, 30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

125mW

工作溫度

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

35V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

功率-最大

1.54W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 10V

功率-最大

1.25W

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