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DMNH6042SK3-13

DMNH6042SK3-13

僅供參考

型號 DMNH6042SK3-13
PNEDA編號 DMNH6042SK3-13
描述 MOSFET NCH 60V 25A TO252
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMNH6042SK3-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMNH6042SK3-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMNH6042SK3-13, DMNH6042SK3-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 397.27 KB)
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DMNH6042SK3-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds492pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252-4L
包裝/箱TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 275µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

206nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14800pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2815pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 56.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta), 71A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

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