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DMP2004DWK-7

DMP2004DWK-7

僅供參考

型號 DMP2004DWK-7
PNEDA編號 DMP2004DWK-7
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP2004DWK-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP2004DWK-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMP2004DWK-7, DMP2004DWK-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 226.99 KB)
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DMP2004DWK-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)430mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds175pF @ 16V
功率-最大250mW
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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Diodes Incorporated

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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FDC6320C

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA, 120mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SuperSOT™-6

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

67mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Silicon Carbide (SiC)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tj)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs(th)(最大)@ ID

5.55V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1840pF @ 800V

功率-最大

20mW

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安裝類型

Chassis Mount

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制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 200mA, 2.7V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

150mW

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