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DMP2006UFG-7

DMP2006UFG-7

僅供參考

型號 DMP2006UFG-7
PNEDA編號 DMP2006UFG-7
描述 MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 193,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP2006UFG-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP2006UFG-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMP2006UFG-7, DMP2006UFG-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 391.05 KB)
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DMP2006UFG-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17.5A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.2mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 10V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5404pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI3333-8
包裝/箱8-PowerVDFN

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

690mOhm @ 2.85A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

325pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

24W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.9nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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