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DMP2006UFGQ-7

DMP2006UFGQ-7

僅供參考

型號 DMP2006UFGQ-7
PNEDA編號 DMP2006UFGQ-7
描述 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP2006UFGQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP2006UFGQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMP2006UFGQ-7, DMP2006UFGQ-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 438.28 KB)
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DMP2006UFGQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17.5A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs200nC @ 10V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7500pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.3W (Ta), 41W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI3333-8
包裝/箱8-PowerVDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

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