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DMP2012SN-7

DMP2012SN-7

僅供參考

型號 DMP2012SN-7
PNEDA編號 DMP2012SN-7
描述 MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP2012SN-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP2012SN-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMP2012SN-7, DMP2012SN-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 144.46 KB)
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DMP2012SN-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)700mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds180pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-59-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3216pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

14W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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