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DMP3010LK3-13

DMP3010LK3-13

僅供參考

型號 DMP3010LK3-13
PNEDA編號 DMP3010LK3-13
描述 MOSFET P CH 30V 17A TO252
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP3010LK3-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP3010LK3-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMP3010LK3-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs59.2nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6234pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.7W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 10.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1.54mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

128W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 106A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

215nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9575pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 132A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

185nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

96W (Tc)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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