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DMP3010LK3Q-13

DMP3010LK3Q-13

僅供參考

型號 DMP3010LK3Q-13
PNEDA編號 DMP3010LK3Q-13
描述 MOSFET P-CH 30V 17A TO252
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 128,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP3010LK3Q-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP3010LK3Q-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMP3010LK3Q-13, DMP3010LK3Q-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 357.54 KB)
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DMP3010LK3Q-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs59.2nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6234pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.7W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.25Ohm @ 3.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

730pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+16V, -12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2660pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

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