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DMP58D0SV-7

DMP58D0SV-7

僅供參考

型號 DMP58D0SV-7
PNEDA編號 DMP58D0SV-7
描述 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 154,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP58D0SV-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP58D0SV-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMP58D0SV-7, DMP58D0SV-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 140.92 KB)
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DMP58D0SV-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)160mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds27pF @ 25V
功率-最大400mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.3A, 4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

880mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

155pF @ 20V

功率-最大

272mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate, 4V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A, 1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

88pF @ 10V

功率-最大

800mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 25V

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