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DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13

僅供參考

型號 DMP6180SK3-13
PNEDA編號 DMP6180SK3-13
描述 MOSFET P-CH 60V 14A TO252
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMP6180SK3-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMP6180SK3-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMP6180SK3-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.7V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds984.7pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)1.7W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1970pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.25W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

96A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 48A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

298W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

710mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

430mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 13µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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94W (Tc)

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供應商設備包裝

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